中國記憶體紅鏈「國產替代、技術突圍」分食三星、美光等大餅
AI浪潮全面引爆記憶體市場，帶動缺貨與漲價潮急速蔓延。中國記憶體晶片產業正處於由「國產替代」、「技術突圍」轉變的關鍵階段，在AI算力需求爆發驅動下，行業整體進入新一輪上行周期。
同時，隨著半導體漲價潮從記憶體向全行業蔓延，中國功率晶片和類比晶片企業也正迎來業績回暖與價值重估的雙重機遇。
全球DRAM市場由三星、SK海力士、美光三巨頭主導，NAND Flash市場則由三星、SK海力士、鎧俠、美光主導。中國國產企業正透過技術突破與產能擴張，逐步打破這一格局。
DRAM領域方面，長鑫存儲（CXMT）是中國國產龍頭，2025年其DRAM出貨量增長超50%，全球市占預計突破5%，已實現DDR4/DDR5雙線布局，並完成LPDDR5模組在浪潮、新華三等伺服器上的適配。
NAND Flash領域方面，長江存儲（YMTC）全球市占率從2023年的5%躍升至2025年的10%，預計今年底將突破12%，在消費級SSD市場已具備與國際巨頭競爭的能力。其自主研發的Xtacking技術顯著提升了產品性能。
兆易創新是中國記憶體晶片設計龍頭，NOR Flash全球市占率20.4%（全球第二），業務覆蓋NOR Flash、DRAM及MCU，應用於消費電子、工業控制；江波龍是記憶體模組領軍企業，企業級SSD市占率12%，深度綁定長江存儲，產品適配AI伺服器與資料中心需求。
摩根史坦利預測，DDR4的供應短缺將延續至2027年，也就是說，未來兩年，DRAM都會處於「供不應求、價格上漲」的狀態，超級周期至少持續兩年以上。
東吳證券指出，中國第一、全球第四的DRAM廠商長鑫科技重點在研的CBA，是面向下一代3D DRAM的關鍵創新架構技術，將釋放後續持續擴產動能，透過這一另闢蹊徑的方式縮小與三星和海力士的代際差，保證擴產量級，產業鏈公司將充分受益。
此外，類比、功率晶片企業過去兩年受至於價格戰與庫存壓力，導致估值長期承壓。
當前漲價周期中，龍頭公司憑藉技術實力與客戶資源率先傳導成本，業績確定性提升將推動估值修復。
中國功率半導體龍頭士蘭微日前公布業績預告顯示，子公司士蘭集成五、六吋晶片生產線、士蘭集昕八吋晶片生產線、重要參股企業士蘭集科12吋晶片生產線均實現滿負荷生產，且三家公司的盈利水平均有所提升。這一表現背後，正是功率半導體市場需求回暖與產能緊張帶來的價格提升。
