三星自信5年內製程領先台積

編譯簡國帆／綜合報導

南韓三星電子半導體事業主管慶桂顯5日表示，三星電子的晶片製程優勢將在未來五年內超越全球晶圓代工龍頭台積電，預期2奈米製程將領先台積電。

韓國經濟日報報導，慶桂顯在韓國科學技術院發表演說時表示：「老實說，我們的晶圓代工技術落後台積電一到兩年，一旦台積電加入我們的2奈米科技競賽，三星將領先。我們能在未來五年內超越台積電」。

三星電子去年率先全球把環繞閘極電晶體（GAA）架構用於3奈米製程節點，聲稱3奈米GAA技術能比上一代製程節點提高效能30%、減少耗能50%、縮減晶片面積45%；今年稍早則表示，目標是明年起根據GAA架構量產2奈米晶片。

台積電和其他晶圓代工廠則採用鰭式場效電晶體（FinFET）技術，台積電據傳2奈米製程也計劃採用GAA技術。

慶桂顯表示，三星4奈米技術落後台積電兩年，3奈米製程落後一年左右，但在台積電進入2奈米製程後情勢將改變，「我們客戶較偏好我們的GAA技術，幾乎所有大客戶都在跟我們合作，三星晶圓代工客戶群正擴增」。

針對美國當局緊縮晶片製造商在中國大陸的營運規範，慶桂顯說，三星電子有信心能挺過相關衝擊。