美光紐約廠工程頻延誤 傳拖到2033年投產

美光的紐約克萊（Clay）工廠頻傳延誤，第一廠原定2025年投產，但最新消息指出，如今可能要到2033年才能啟用。有鑒於此，美光轉向加速建造愛達荷州工廠，並將晶片法案取得的撥款，部分轉往愛達荷廠。

Tom's Hardware科技網站引述Syracuse.com報導，據美光6月正式公布的「環境衝擊聲明」草案，該公司位於紐約克萊的第一廠，將在2026年底動工，施工至2028年下半或2029年初，由於安裝設備需要12-24個月，估計第一廠到2030年才能生產DRAM，比原先預估晚了五年。紐約克萊廠區共將建設四家晶圓廠。

但據Syracuse取得的文件，紐約克萊廠的工程再次遭逢重大延誤。最新環境文件顯示，建設工事會持續四年、而非三年，第一廠的完工時間將為2030年底，而非2028年下半。據悉紐約奧農達加郡（Onondaga）官員將工程延誤，歸咎於勞力短缺；建造時間拉長，成了美國晶圓廠的普遍現象。

有鑑於此，美光調整優先順序，要加快打造愛達荷的兩家工廠，預定在克萊園區完工前就緒。美光從晶片法案取得61億美元補助，克萊園區取得款項將減少約12億美元，這筆資金將轉往愛達荷廠。

報導指出，美光指示調整工程順序，而非延後所有新廠，因此大概不會影響該公司在美生產四成DRAM的目標。美光優先發展愛達荷廠，有利美光在美製造高頻寬記憶體（HBM）。美光也打算在愛達荷建立HBＭ等先進封裝廠。