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韓媒:三星電子計劃2025年推出3D DRAM

韓媒報導,三星電子計劃2025年推出3D DRAM。(路透)
韓媒報導,三星電子計劃2025年推出3D DRAM。(路透)

《韓國經濟日報》報導,三星電子目標2025年推出3D DRAM,以便在全球AI半導體市場相關領域中取得領先。目前這塊領域是由SK海力士所主導。

3D DRAM晶片是藉由將單位垂直堆疊的方式,而非水平置放的方式,使得單元面積容量達到三倍。相較下,高頻寬記憶體(HBM)是垂直互聯多個DRAM晶片。

根據首爾半導體產業消息人士周二的說法,三星是在上月於加州聖荷西舉行的全球晶片製造商聚會Memcon 2024會議上公布其3D DRAM的開發藍圖。

報導指出,三星電子計劃在2025年推出基於其垂直管道電晶體技術的初步版本3D DRAM,並計劃在2030年推出堆疊式DRAM,它會把所有單元都堆疊起來。

產業消息人士表示,全球3D DRAM市場規模到了2030年可望成長至1,000億美元。消息人士說,這項技術預期協助三星擊敗SK海力士,目前SK海力士在全球的HBM市場擁有90%市占。

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