台積向美尋求150億美元建廠補貼 占晶片法案資金近3成

據華爾街日報（WSJ）報導，台積電正在向美國政府尋求150億美元的建廠補貼，但反對一些附加條件，如分享超額利潤等。市場分析，該金額占美國晶片法案提供補助資金占比近三成，台積電是否順利取得補助，不僅仍待與美國政府協調，也考驗台積電能否在商業利益與政治判斷上取得平衡。

WSJ引述知情人士報導，台積電對可能要求其分享工廠利潤，並提供詳細營運資訊的規定，感到擔憂。台積電去年12月把亞利桑那州建廠計畫的投資規模增加兩倍多，攀抵400億美元。美國晶片法案將提供530億美元資金，協助美國恢復在半導體領域的製造實力。外界預期，英特爾、台積電和三星都會申請先進製程建廠補助。

知情人士透露，根據美國晶片法案，台積電可望獲得約70億~80億美元的稅額減免。台積電也正在爭取商務部的補助款，希望在亞利桑那州的兩座工廠，可分別獲得約60億~70億美元的補貼，使來自美國政府的補貼總額達到150億美元。

台積電19日不回應市場相關傳聞，台積電將於今天召開法說會，除了營運展望之外，預料美國布局等相關議題將是會中焦點。台積電已於美國亞利桑那州設立新廠，第一階段將於2024年量產4奈米，符合美方補助條件。不過，台積電董事長劉德音日前表態，無法接受該法案提供補助的部分條件，還須再討論。台積公司的目標是減輕這些負面影響，並將繼續與美國政府進行協商。

劉德音並未透露無法接受美國晶片法案哪部分的限制，但業界分析，台積電應是對美國商務部所提，申請補助廠商十年內將不得在「受關注國家」、也就是中國進行擴充，其餘還包括提出相關商業祕密等給美方，以利查核是否將補助款用於購買庫藏股或配發股息等限制用途。

業界分析，由於台積電獲補助金額絕不會超過英特爾等美國廠商，台積電有本事不靠申請補助款，與各大晶片廠競爭，這也是台積電握有籌碼可以和美國商務部談條件的憑藉。

綜觀台積電海外布局，不僅美國亞利桑那州廠投資金額擴增至400億美元，將投入4奈米及3奈米製程生產，並在日本熊本投資建廠，預計2024年底前以28奈米、22奈米、16奈米及12奈米製程生產。