三星DRAM研發大突破 10奈米以下製程報捷

南韓三星電子據傳已成功生產出功能正常的10奈米以下DRAM晶粒（die），在克服記憶體製造的微縮極限上，取得一大突破。

韓媒The Elec引述知情人士報導，三星在對其3月採用10a製程製造的晶圓進行測試時，發現了一顆功能正常的晶粒。10a製程是第一代小於10奈米的製程，實際線寬估計為9.5至9.7奈米。這個結果也反映出「4F平方單元結構」和「垂直通道電晶體（VCT）」技術的首次應用。據了解，三星的目標是在今年完成10a DRAM的開發，接著在明年完成品質測試、2028年實現量產。該公司計畫在10a、10b和10c三個世代使用4F和VCT製程，並在10d世代走向3D DRAM。

一名業界人士表示，由於擔心10a製程可能失敗，三星原本準備了另一個使用傳統手法的設計團隊，但如今成功預料將加速商業化。

三星為了解決更小單元尺寸內的整合挑戰，引進了VCT技術。一名業界人士說，水平堆疊VCT結構是3D DRAM的基礎，代表三星實際上已為未來發展打好了基礎。