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三星第二代3奈米製程效能傳改善逾20% 恐威脅台積電?

三星電子的第二代3奈米製程已首度浮現一些技術細節。(路透)
三星電子的第二代3奈米製程已首度浮現一些技術細節。(路透)

南韓媒體報導,雖然三星電子預定明年才會推出第二代3奈米製程,但已首度浮現一些技術細節,知情人士指稱效能比目前的4奈米製程快上超過20%,顯示三星電子商業化第二代3奈米製程的進程正如期推動。南韓業界人士認為,這個水準可能威脅台積電

韓國每日經濟新聞英文版網站The Pulse報導,產業人士透露,三星電子將在6月於日本舉行的國際超大型積體電路技術研討會(International VLSI Symposium)上,以初步簡報透露目前的晶片技術狀況,簡報說明第二代3奈米製程的效能比目前的4奈米製程(SF4)快22%,節能程度提高34%,晶片尺寸也將比上一代縮減21%。

報導指出,三星電子發表的這項新資訊意義重大,因為這是該公司首次拿未來的晶片製程與主要的4奈米製程相比。之前,三星電子都是以5奈米製程作為比較下一代技術效能的基準,去年6月首度生產3奈米製程時,便聲稱效能比5奈米製程(N5)快23%,晶片尺寸縮小16%。

不過,產業專家審慎評估三星電子的最新進展,能否稱為技術能力的重大推進,特別是和台積電的競爭態勢。台積電最近宣布其第二代3奈米製程的效能比5奈米製程晶片改善18%,耗能減少32%。

一般認為,台積電的N5製程和三星電子的SF4製程相似。

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