美光：AI帶動的記憶體短缺是空前的 預料持續至今年之後
記憶體大廠美光（Micron）表示，記憶體晶片持續短缺情勢在過去一季進一步加劇，同時重申由於AI基礎建設所需的高階半導體需求暴增，這波供應吃緊情況將延續到今年之後。
美光全球營運執行副總裁巴提亞（Manish Bhatia）在上周五（16日）出席位於紐約州雪城附近一座1,000億美元生產基地的動土典禮，隨後接受訪問時表示：「我們目前看到的短缺情況，真的前所未見。」這番說法也呼應了美光在去年12月所提出的類似預測。
巴提亞說，用於製造AI加速器的高頻寬記憶體（HBM）正大量消耗整個產業可用產能，導致包括手機與PC在內傳統市場面臨嚴重記憶體供應短缺。
他說，PC與智慧手機製造商已開始排隊，希望能鎖定2026年之後的記憶體晶片供應，而自駕車與人形機器人也將進一步推升相關零組件需求。
陸媒《界面新聞》上周五報導，由於記憶體成本上升，包括小米、OPPO與深圳傳音控股在內的中國主要智慧手機製造商正下修2026年出貨目標，其中OPPO的下修幅度高達20%。上述三家公司皆未回應置評請求。
產業研究機構Counterpoint Research去年12月預估，由於記憶體晶片短缺推高成本並壓縮產能，今年全球智慧手機出貨量可能年減2.1%。包括戴爾在內的PC製造商也警告，可能會受這波持續短缺影響。
在AI熱潮帶動下，全球記憶體晶片產業三大廠美光、SK海力士與三星電子的股價在2025年大漲。SK海力士表示，其2026年的晶片產能已全數售罄；美光也指出，其AI記憶體半導體在今年同樣已滿載接單。
為優先供應輝達等重要客戶，美光在去年12月宣布將結束旗下Crucial消費型記憶體業務。AI產業對記憶體晶片近乎無止境的需求，也加快美光在美國與亞洲擴產腳步。
美光上周六宣布將斥資18億美元收購力積電銅鑼廠，此舉可大幅縮短新工廠投產的時程。美光表示，將在 2027年下半年開始實質生產DRAM晶圓。
DRAM為輝達與英特爾等公司複雜處理器提供運算所需的執行環境，也是AI加速器高頻寬記憶體能否高效運作的核心。
巴提亞在上周五的訪談中表示：「我們在亞洲廠區的重點，將是持續轉向下一世代製程技術。」
至於新增的晶圓產能，他補充說，幾乎將全面設於美國。
美光位於雪城附近的1,000億美元投資案，規劃設置四座DRAM晶圓廠，每一座約相當於10個足球場的面積，首批晶圓預計2030投產。
美光也將於總部所在地的愛達荷州Boise現有研發設施旁新增兩座晶圓廠的產能，第一座愛達荷州新廠預定2027年投產，第二座工廠則仍在規劃中。此外，美光也正在維吉尼亞州擴建並升級既有製造設施。
這些計畫皆屬於美光承諾將40%的DRAM製造移回美國本土的一環。美光在2024年靠這項計畫獲得62億美元《晶片法案》補助，以及在建設期間可適用、目前提高至35%的租稅減免。
