手機一周都不充電？三星和IBM發表新晶片技術的企圖心

三星和IBM日前共同發表他們最新的半導體設計架構，讓晶片上的電晶體以垂直的方式堆疊，藉此提高電晶體密度，進而提升晶片效能和降低功耗，甚至可望讓手機電池續航力長達一周。

科技網站The Verge報導，這種名為「垂直傳輸場效應電晶體」（VTFET）的設計架構，可望取代現今用於部分最先進晶片的鰭式場效電晶體（FinFET）架構。VTFET架構將垂直堆疊電晶體，讓電流以上下的方式流通，而非目前用於多數晶片的水平排列方式。

儘管距離VTFET架構真正用於消費性產品的晶片，還有一段時間，三星和IBM如今卻做出一些重大宣稱，例如VTFET架構的晶片，可望比FinFET架構「增加兩倍的效能、降低85%的功耗」。

這兩家公司指出，透過在晶片堆疊更多電晶體，VTFET技術可望有助維持「摩爾定律」的目標，也就是隨時間推移，還能穩定增加晶片電晶體的數量。

三星和IBM另指出，這項新技術可望用於具企圖心的使用情境，因而提出一些構想，例如「手機電池續航力在不充電的情況下撐一周，而非幾天」、電力密集度較低的加密幣挖礦與資料加密，甚至用在效能更強的物聯網（IoT）裝置、太空船。