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ASML EUV光源技術突破 2030年晶片產量可望增五成

ASML表示,找到方法強化晶片製造設備的光源功率,能讓晶片產量到2030年最多增加五成。美聯社
ASML表示,找到方法強化晶片製造設備的光源功率,能讓晶片產量到2030年最多增加五成。美聯社

半導體微影設備龍頭艾司摩爾(ASML)表示,找到方法強化晶片製造設備的光源功率,能讓晶片產量到2030年最多增加五成,有助ASML維持優勢,抵禦在美國與中國的新興對手。

ASML是全球唯一商用極紫外光(EUV)微影設備的製造商,這種設備是台積電英特爾等生產先進晶片的關鍵工具。該公司改善晶片製造設備中,最具技術挑戰的部分,來拉開與對手的距離 ,也就是打造出具備適當功率與特質的EUV光線,以便大量生產晶片。

ASML研究員發現方法,能將EUV光源功率從現今的600瓦特,提高至1,000瓦特。這麼做的最大好處是,光源功率愈強,每小時能生產更多晶片,有助降低每個晶片的成本。

晶片印製方法類似相片,用EUV光線照在塗有光阻劑的矽晶圓上。EUV光源功率愈強,晶片曝光時間愈短。ASML高層Teun van Gogh表示,每部機器到2030年每小時應該能處理約330片矽晶圓,高於現在的220片,相當於產量提高五成。

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