韓媒：搶HBM4市占 傳三星DRAM擬增產近兩成

外媒傳出，三星電子為搶攻高頻寬記憶體（HBM）市場，打算增設產線，將DRAM產量提高18%。

科技媒體SammyGuru引述韓媒Hankyung報導，三星電子打算增加平澤P4廠的DRAM產量，將建造新產線，以便在2027年第1季時，每月額外生產10萬-12萬片的1c製程DRAM晶圓。

1c製程DRAM是生產HBM4的關鍵零組件，三星堆疊12個DRAM晶片，打造出一個HBM4。

目前三星工廠每月能生產約66萬片DRAM晶圓，增設新產線後，該公司的DRAM總產量將在一年內提高近18%，能夠滿足輝達和超微（AMD）等，對HBM4的高漲需求。

韓國經濟日報的說法相近，指出三星有意大舉擴張下一代DRAM產線，研議在平澤P4廠增設產線，最多每月能生產12萬片DRAM晶圓，以鞏固在HBM的領先地位。