路透：傳中國長江存儲 擬進軍DRAM市場

中國快閃記憶體（NAND Flash）大廠長江存儲，據傳打算生產動態隨機存取記憶體（DRAM），包括人工智慧（AI）晶片所需的高頻寬記憶體（HBM）。

路透引述消息人士報導，長江存儲正在開發先進的晶片封裝技術—矽穿孔（TSV），可用來堆疊DRAM，生產HBM。此舉凸顯美國去年12月擴大限制北京取得HBM後，中國當局迫切要提高先進晶片的生產能力。HBM是將DRAM以先進封裝技術堆疊而成。另一中企長鑫存儲已投入發展HBM。

業界消息人士和分析師說，對中國龐大AI晶片產業而言，美方限制讓取得HBM變成更緊迫的議題，華為、字節跳動等都在開發自家AI晶片。

長江存儲正在武漢興建新廠，據傳該公司考慮將部分廠房用於生產DRAM。長江存儲在9月初成立新實體，以在武漢設立第三家晶片工廠。據摩根士丹利的研究報告，長江存儲在武漢的兩間既有工廠，主要生產NAND，去年底為止每月產量為16萬片12吋晶圓，今年預計將再增6.5萬片晶圓。