刻蝕龍頭 中微去年淨利同比估增35%
中國半導體刻蝕設備龍頭中微公司23日發布公告稱，受到先進邏輯和記憶體件製造中關鍵刻蝕工藝的高端產品新增付運量顯著提升，以及先進邏輯器件中段關鍵刻蝕工藝和先進記憶體件超高深寬比刻蝕工藝實現量產公司預計2025年淨利潤為人民幣20.8億元至21.8億元，與上年同期相比年增約29%至35%。
公告指出，公司主營產品等離子體刻蝕設備作為半導體前道核心設備之一，市場空間廣闊，技術壁壘較高。公司的等離子體刻蝕設備在國內外持續獲得更多客戶的認可。
具體到已有產品市場上，中微公司表示，電容耦合等離子體刻蝕（CCP）方面，公司用於關鍵刻蝕工藝的單反應台介質刻蝕產品保持高速增長，能夠全面覆蓋記憶體刻蝕應用中各類超高深寬比需求；感應耦合等離子體（ICP）方面，適用於下一代邏輯和存儲客戶用ICP刻蝕設備和化學氣相刻蝕設備開發取得了良好進展，加工的精度和重複性已達到單原子水準。到2025年底，刻蝕設備反應台全球累計出貨超過6800台。
值得一提的是，中微公司近兩年新開發出十多種導體和介質薄膜設備，目前已有多款新型設備產品進入市場，其中部分設備已獲得重複性訂單。
其中，低壓化學氣相沉積（LPCVD）設備累計出貨量突破三百個反應台，其他多個關鍵薄膜沉積設備研發專案正在順利推進；公司外延生長（EPI）設備已順利進入用戶端量產驗證階段，該種設備同時也付運至先進製程客戶進行驗證，部分先進工藝已進入量產驗證階段。
公司幾款金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）新產品進入用戶端驗證階段；新型8吋碳化矽外延設備、新型紅黃光LED應用的設備已付運至境內領先客戶開展驗證；
新一代高選擇比預清潔腔體滿足先進工藝的需求，已在用戶端進行量產驗證；常壓外延設備現已完成開發，進入工藝驗證階段；在泛半導體設備領域，公司正在開發更多化合物半導體外延設備，已陸續付運至用戶端進行驗證。
此外，中微公司在南昌約14萬平方公尺的生產和研發基地、上海臨港的約18萬平方公尺的生產和研發基地已經投入使用，保障了公司銷售快速增長。
