DRAM價格大漲效應 中國記憶體廠 積極擴產衝市占

受AI算力需求爆發影響，記憶體產能供應吃緊，價格大幅上漲，也讓中企積極擴產搶市占。包括中國DRAM龍頭長鑫科技、利基型DRAM大廠兆易創新，以及封測廠通富微、天山電子、長電科技等，都相繼公布與記憶體相關擴產專案。

中國DRAM產業龍頭企業長鑫科技日前正式向上交所遞交招股書。招股書披露，長鑫科技計畫募集資金人民幣295億元（約42.2億美元），其中人民幣75億元（約10.7億美元）擬用於記憶體晶圓製造量產線技術升級改造專案，人民幣130億元（約18.6億美元）擬用於DRAM記憶體技術升級專案，人民幣90億元（約12.9億美元）擬用於DRAM前瞻技術研究與開發專案。

兆易創新是全球唯一在編碼型快閃記憶體（NOR Flash）、單層單元快閃記憶體（SLC NAND Flash）、利基型DRAM和微控制器（MCU）四大領域均躋身全球前十的晶片設計公司。其H股已在本月13日掛牌上市，此次募集資金中，有人民幣46.96億元（約6.73億美元）將用於擴產。

液晶顯示螢幕製造廠天山電子近日公告，該公司透過武漢鼎典投資新存科技和天鏈芯，戰略性投資布局「記憶體研發與製造-主控晶片與記憶體模組研發-記憶體模組製造-市場商業化拓展」垂直整合全鏈條，並計畫構建從AI算力底層支撐到智慧終端機應用的完整記憶體生態能力。

晶片封測廠長電科技曾於2024收購晟碟半導體，後者從事快閃記憶體產品的研發、封裝和測試。長電科技在9日發布的投資者關係活動表中提到，晟碟工廠在2025年下半年營運進一步改善，長電科技與外方股東持續加大對工廠的聯合投入，聚焦新產品的技術迭代與產能擴張。

長電科技指出，預計公司全年記憶體業務將保持快速增長。

晶片封測廠通富微電公告，擬募資不超過人民幣44億元（約6.3億美元）用於項目建設，其中擬投入人民幣8億元（約1.1億美元）用於記憶體封測產能提升項目上。通富微電公告稱，該專案建成後年新增記憶體封測產能84.9萬片。