中攻克半導體製造鏈關鍵環節 成功製出離子植入機

由中核集團中國原子能科學研究院自主研製的中國首台串列型高能氫離子注入機（離子植入機）成功出束（發射），核心指標達到國際先進水準。代表中國已全面掌握串列型高能氫離子植入機的全鏈路研發技術，攻克了功率半導體製造鏈關鍵環節。

離子植入機是一種低溫製程，透過該製程，可將特定離子在電場裡加速，然後嵌入到另一固體靶材之中。與曝光機、刻蝕機、薄膜沉積設備，被稱為「晶片製造四大核心設備」。

財聯社報導，此次高能氫離子植入機的成功研製，是核技術與半導體產業深度融合的重要成果，將有力提升中國在功率半導體等關鍵領域的自主保障能力，更為助力「雙碳」目標實現、加快形成新質生產力提供強有力技術支撐。

長期以來，中國高能氫離子植入機完全依賴國外進口，研發難度大、技術壁壘高，是制約中國戰略性產業升級的瓶頸之一。原子能院依託在核子物理加速器領域數十年的深厚累積，以串列加速器技術作為核心手段，破解一系列難題，完全掌握了串列型高能氫離子值入機從底層原理到整機集成的正向設計能力，打破了國外企業在該領域的技術封鎖和長期壟斷。

目前全球離子植入機市場由少數幾家企業高度壟斷，前三大廠商分別為美國應用材料（Applied Materials）、艾科賽斯（Axcelis Technologies）、日本日新電機（Nissin Ion Equipment），市占分別為60%、20%、10%。