彎道超車…中企原集微科技喊5年拚出「1奈米」製程

中晶片製造企業原集微科技首條二維（2D）半導體示範產線近期在上海浦東進行測試，該公司預計五年內靠新材料應用、全中國國產設備下，實現等效1奈米製程。如有成果，中國陸晶片將能在沒有極紫外光曝光機（EUV）狀態下，實現彎道超車。

綜合新華財經、文匯報等陸媒報導，原集微成立於2025年，由復旦大學科研團隊組成，去年底完成近人民幣億元的天使輪融資。這也是中國國內首條2D半導體示範產線，預計今年6月正式試產，9月前小批量產。

原集微創始人包文中20年前從石墨烯晶體管入手，開始研究2D半導體材料。

按傳統矽基晶片規律，目前最先進的晶片製程為2奈米，但半導體製程技術到奈米等級，電晶體裡的原子數量開始變少、科技逐步走進量子層級，使得半導體微縮製程的腳步逐漸放慢，因此近年一直有摩爾定律終將走到盡頭疑慮。

所以有科學家從材料改變與創新著手，「2D半導體」因而產生。2D半導體是指只有單個或幾個原子層厚度的材料，如石墨烯、二硫化鉬等，因其原子級厚度帶來極佳的電子傳輸和光電特性，有望克服傳統矽基半導體在製程微縮的瓶頸，在製造更小、更快、更節能的電子元件（如電晶體、感測器、光電子器件）方面具有巨大潛力，是推動下一代電子技術發展的關鍵新興領域。

原集微公布未來五年發展路線圖，在2026年實現等效矽基90奈米的CMOS製程後，將於2027年利用成熟製程的K線曝光機，實現等效矽基28奈米製程；2028年實現等效矽基5奈米、甚至3奈米製程；最終在2029年或2030年，基於全大陸國產半導體設備，實現等效1奈米製程。

事實上，台積電也投入2D半導體研發，其在2023年技術論壇上表示會持續透過新型電晶體結構、新材料等方面創新。其與台大材料系研究團隊共同開發下世代二維原子層材料鎢化硒 （WSe2） 材料，並製作成高效能的電晶體元件，展現出優異的「載子遷移率」（carrier mobility，指電子可以在這種材料中更快速、更有效地移動），但目前還未有商業化時程。