長鑫存儲想打造首款中製HBM 超前部署向應材&科林訂機器

日經報導，中國DRAM大廠長鑫存儲正加緊努力，要打造出首款國產高頻寬記憶體（HBM）。對岸還沒有本土晶片製造商能生產HBM來加速AI運算。

知情人士說，長鑫存儲已從美國和日本供應商那裏訂購並且收到了一些適合生產和組裝HBM的製造和測試設備。一位晶片業高管表示，長鑫存儲急於取得尚未受到出口管制的HBM生產設備，即使其HBM技術尚未逹到量產程度。

據悉，去年以來，長鑫存儲優先發展垂直堆疊DRAM晶片的技術，以便複製HBM晶片架構。

根據兩位消息人士，包括應用材料（Applied Materials）和科林研發（Lam Research）在內的一些美國主要設備供應商已取得華府許可，自2023年中開始向中國的記憶體製造商提供晶片生產工具。

長鑫存儲去年底宣布，已開始生產中國首批LPDDR5記憶體晶片。這使得長鑫存儲在技術方面僅次於美光（Micron）和SK海力士，領先台灣的南亞科技，後者更專注於專業市場而非大眾消費電子產品業務。

但長鑫存儲2023年在全球DRAM的市占率還不到1%，三星、SK 海力士、美光三大巨頭則控制了97%的市場。

與此同時，根據集邦科技數據，三星和SK海力士主導HBM的生產，2023年市占率合計逾92%。美光則約4%至6%。

Counterpoint半導體分析師Brady Wang指出，中國盼HBM自給自足面臨許多挑戰。他說：「當DRAM技術落後全球對手，你的HBM技術在商業化市場的競爭將居於劣勢。遑論HBM的生產需要複雜的設計和製造技術。這可能是個陡峭的攀爬過程。中國國家隊要打破該領域由國際主導的現況並非易事。其首要目標仍是滿足國內需求。」