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傳三星電子重啟1.4奈米晶片計畫 目標2029年量產

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韓媒報導指出,三星電子已重啟1.4奈米晶片(SF1.4)製程,目標是2029年量...
韓媒報導指出,三星電子已重啟1.4奈米晶片(SF1.4)製程,目標是2029年量產。(路透)

韓媒The Bell報導,在短暫中止開發後,三星電子已重啟1.4奈米晶片(SF1.4)製程,目標是2029年量產。

報導指出,由於開發2奈米製程進展順利,三星電子向應用材料、科林研發等關鍵設備合作夥伴,提供其1.4奈米的路線圖,並要求他們開始1.4奈米製程所需的工具進行深度開發。

知情人士透露,三星電子已在其NRD-K工廠安裝了ASML的高數值孔徑極紫外光(EUV)微影設備,這些設備將用於1.4奈米及後續製程的特定電路層。

三星也把原定2027年量產1.4奈米晶片的目標,延到2029年,因該公司將重心轉向強化其2奈米(SF2)和第二代2奈米(SF2P)晶片,從激進推動先進製程,轉為追求良率穩定、以及製程最佳化。因此,據悉三星下一代旗艦手機處理器Exynos 2800,將改用強化版的2奈米晶片,而非原先規劃的1.4奈米晶片。

相形下,台積電目標是最快在2027年第3季進行1.4奈米製程的試產,2028年下半年實現量產。且台積電高層在2026年北美技術論壇表示,為節省開支,2029年底之前不會在晶片生產中部署ASML的高數值孔徑EUV曝光機。

至於英特爾,路透報導,該公司18A-P已進入試產。而且該公司據傳目標是2018年風險生產(risk production)14A製程,接著在2029年量產。

精華 FAQ

  • 因2奈米製程進展順利,三星決定重新推進1.4奈米,但把原訂2027年量產延後至2029年,先集中資源提升良率與製程穩定度。

  • 三星已向應用材料、科林研發等合作夥伴提供1.4奈米路線圖,要求提前展開深度開發,並在NRD-K工廠部署ASML高NA EUV設備。

  • 三星將1.4奈米量產推至2029年;台積電最快2027年試產、2028年量產,且2029年前不部署高NA EUV;英特爾則傳出14A於2029年量產。

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