高盛：中國光刻機仍停留在65奈米 至少落後ASML二十年

美國投行高盛最新發布研究報告稱，中國大陸在半導體製造關鍵環節的光刻機研發上仍存在瓶頸，而大陸國產光刻機目前仍停留在65奈米製程，至少落後西方國際大廠20年的時間。

英國科技媒體wccftech引述高盛報告指出，目前極紫外光（EUV）光刻機、高數值孔徑（High NA）EUV光刻機等最先進的光刻機只有荷蘭公司ASML能夠製造。但由於ASML的這些光刻機依賴於美國原產的關鍵零組件，導致美國政府能針對它們對陸的銷售加以限制。

報告稱，即便大陸晶片製造巨頭中芯國際能生產出7nm製程的晶片，但是這些7nm晶片極有可能還是通過ASML較舊的深紫外光（DUV）光刻機來生產製造，因為中國目前尚不具備製造這類先進光刻機的能力，因為這些設備的核心零組件主要來自全球供應商，尤其是美國和歐洲的供應商。中國國產的光刻機的技術水平仍停留在相對陳舊的65nm製程。

高盛報告還引述公開數據強調，ASML為了從65nm技術躍升至低於3nm的光刻能力，經過了二十年的時間，並投入了高達400億美元的研發與資本支出。 因此綜合考量中國當前技術水平與所需龐大投入，以及全球供應鏈的複雜依賴性，該行認為大陸光刻機廠商在短期內趕上西方先進技術的可能性較小。 這無疑為中國在高端晶片領域達成自給自足的願望，設下了巨大的障礙。

值得注意的是，近期大陸國內半導體裝備知名企業、與華為有關聯的新凱來宣布將參加4日至6日在無錫舉行第十三屆半導體設備與核心部件及材料展（CSEAC 2025），外界關注這次新凱來是否會真正推出在光刻機突破性產品。今年3月新凱來大張旗鼓參加上海國際半導體展，發布覆蓋半導體製造全流程的31款設備，並以「名山系列」命名（武夷山、峨眉山、普陀山、莫乾山等）設備，引發行業震動，但並未有針對外界期待光刻技術的亮點突破。