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長江存儲將美光告上歐美法院 稱其侵犯多項3D NAND技術

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中國記憶體晶片企業長江存儲,近期在美國、歐洲等多地法院對美光發起新一輪專利訴訟,指控美光侵犯多項3D NAND快閃記憶體核心技術。(聯合報系資料照片)
中國記憶體晶片企業長江存儲,近期在美國、歐洲等多地法院對美光發起新一輪專利訴訟,指控美光侵犯多項3D NAND快閃記憶體核心技術。(聯合報系資料照片)

中國記憶體晶片企業長江存儲,近期在美國、歐洲等多地法院對美光發起新一輪專利訴訟,指控美光侵犯多項3D NAND快閃記憶體核心技術。這一系列提告覆蓋176層至276層NAND產品,及低功耗DDR5 DRAM等關鍵領域,成為至今中國高科技企業針對美國公司範圍最廣的主動智慧財產權維權行動,先前僅有華為有過類似行動。

分析認為,長江存儲此次選擇在美、英、德、歐4大智慧財產權強保護地區同步起訴,目的透過法律手段遏制美光在高端存儲市場的技術滲透。若勝訴,可能改變全球NAND快閃記憶體市場格局,並為中國科企應對國際專利糾紛提供範本。

東方財富網報導,新發起的訴訟中,長江存儲提交了逾3,000頁技術證據報告。根據美國德州東區地方法院公開的起訴書,長江存儲指控美光及分銷商安富利侵犯8項美國專利(包括US10, 707, 851等)。同期,長江存儲還在歐洲統一專利法院(UPC)杜塞爾多夫分院、英國高等法院及德國地方法院提起平行訴訟,涉及3件3D NAND專利。

這些專利涵蓋記憶體架構、操作方法等基礎技術,直接關係美光最新3D NAND產品的合規性。

此次全球訴訟是雙方長期專利博弈的延續。自2023年起,美光與長江存儲雙方,分別就各自的20多項美國專利發起無效挑戰。

11月初,美國專利商標局(USPTO)已公布5項美光挑戰長江存儲專利訴訟的裁決結果,其中長江存儲的3項專利被維持有效,2項專利部分權利要求被宣告無效。

值得注意的是,USPTO局長近期公開強調「專利關乎國家安全」,暗示可能加強審查陸企的專利案件,未來訴訟或受非技術因素影響。

據世界積體電路協會(WICA)分析,2024年全球存儲晶片市場仍由三星、SK海力士和美光3大巨頭壟斷;長江存儲近幾年在製造產能、產品種類、產品品質持續提升,2024年底已是全球第6大記憶體廠商。

長江存儲母公司長存集團,先前在9月完成股份制改革後,估值達人民幣1,600億元,首次入圍胡潤全球獨角獸榜,位列中國第9、全球第21位。該估值基於2023年12月養元飲品旗下泉泓投資,以16億元人民幣入股0.99%股權計算,加上4、7月兩輪超百億元融資,股東結構涵蓋國家大基金股約38.5%、五大行系資本、民營資本及員工持股平台。

市場預計,長存集團完成股改後,已具備直接IPO(首次公開募股)條件,或將在2026年第2季前向證監會提交科創板上市申請,募資規模或達人民幣300-400億元,主要用於長存三期每月15萬片產能建設,以及先進製程研發。

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