華為打造大容量SSD 中國產記憶體邁大步
日前巴黎華為IDI Forum 2026活動上，華為展示基於自研Die-on-Board（板上裸晶封裝，簡稱DoB）封裝技術的超大容量固態硬碟（SSD）系列。業內認為，DoB技術將為中國AI資料中心和海量存儲場景提供國產化方案。
國際記憶體行業權威媒體Blocks&Files報導指出，華為展示SSD產品中，目前已量產61.44TB和122.88TB兩款產品，245TB版本也正在規畫中。
目前三星等原廠已經推出400層以上的3D NAND產品，但相關晶片涉及美國技術，所以無法向華為供應最新NAND晶片。因此，華為只能使用長江存儲等中國本土廠商生產的NAND快閃記憶體，並透過封裝層面的創新提升容量密度。
華為使用自主研發的DoB封裝技術，將更多NAND Die（裸晶）直接封裝在PCB電路板上，從而繞開傳統TSOP（薄型小尺寸封裝）或BGA（球柵陣列封裝）對晶片數量的限制，提供更高的密度和更好的性能。
IT之家報導，傳統主流SSD供應商（如三星、鎧俠、閃迪、美光等）通常採用多晶片堆疊在TSOP或BGA封裝內部，然後再焊接到PCB上。傳統TSOP/BGA封裝受限於封裝體的固定物理尺寸，最多只能實現16層裸晶堆疊，而DoB技術最高可實現36層堆疊，突破了這一物理限制。
Blocks&Files指出，這種設計讓華為能夠在不依賴高堆疊層數3D NAND晶片的情況下，將單位空間內的容量密度提升33%。不過，這種封裝方式也帶來散熱管理和信號完整性兩大行業難題，華為研發團隊經過專項技術攻關，最終實現該技術的規模化商用。
目前，這項自研技術已全面應用於華為企業級記憶體產品線。相比TSOP或BGA封裝，華為的DoB方案不僅提升容量密度，還省去若干昂貴的封裝步驟，從而更具成本效益。業內認為，華為雖在單碟容量上仍有差距，但已大幅縮小與國際廠商的距離，不僅為中國國產記憶體開闢一條繞開3D NAND層數限制的新路徑，也為全球記憶體產業的技術演進提供新方向。
