90：1 中國半導體北方華創蝕刻設備大突破

瑞銀最新一份報告稱，中國半導體設備大廠北方華創「90：1高縱橫比蝕刻」方面可能取得重大進展，這類蝕刻設備，將可助力300層以上的NAND Flash快閃記憶體的生產。

瑞銀的報告指出，如果北方華創最終能獲得中國國內NAND Flash晶圓廠客戶的訂單，這可能代表數億甚至是數十億美元的新增市場機會。

除此之外，考慮到中國對於先進邏輯晶片的需求反應積極，認為北方華創來自其國內先進邏輯晶片客戶的營收上還有進一步增長的空間。

隨著3D NAND技術的發展，堆疊層數也越來越高，目前正在往300層以上方向發展。這就像是蓋數百層的「摩天大樓」，而每層之間的連通，則需要透過極高深寬比的深孔蝕刻設備，來挖出數百層樓深、且極其狹窄的「電梯井」。

而每一層的材料總厚度是固定的，通常達到幾微米，如果要將數百層都互聯起來，就需要通過極高深寬比的深孔蝕刻設備來將數百層都打通，而這些結構必須筆直、均勻且互不干擾。

為了在單位面積內塞入更多存儲單元，那麼每個垂直通道孔的直徑必須做得非常小，目前已經進入幾十奈米的量級。

對於200層以上的3D NAND，這個比值輕鬆超過60：1，並且隨著層數增加（更深）和製程微縮（孔徑更小），這個比例還在不斷增大，對於300層以上的3D NAND就需要90：1甚至100：1邁進。這也是半導體製造中要求最苛刻的蝕刻製程技術之一。

值得一提的是，先前中國境內的蝕刻設備龍頭中微公司已經宣布，在面向記憶體領域所要求的高深寬比的深孔蝕刻方面，實現90：1的深孔蝕刻，並正在突破100：1的深孔蝕刻。