三星搶AI記憶體先機 率先向客戶送樣HBM4E

三星電子率先向客戶提供業界最先進的記憶晶片樣本，在供應Nvidia輝達（另稱英偉達）在內晶片設計商AI加速器的關鍵零組件的競賽中，搶占先機。

三星電子表示，已開始將12層HBM4E送樣給主要客戶。三星電子2月也才啟動HBM4量產，原本規畫第二季送樣，這里程碑凸顯三星電子在高頻寬記憶體（HBM）市場發展迅速。

三星表示，新晶片速度較上一代HBM4提升逾20%，採用最新的1c DRAM製程技術，即第六代10奈米級DRAM，搭配三星4奈米的邏輯基底晶片。

HBM晶片將動態隨機存取記憶體（DRAM）多層垂直堆疊，既能大幅提升資料傳輸速度，也能降低功耗，如今已成為AI 處理器不可或缺的關鍵元件。

三星搶先布局12層HBM4，有助於強化對抗SK海力士等競爭對手的地位。