美擬擴大晶片設備管制銷中國 中媒：短期受阻長期促自研

美國擬透過《硬體技術管制多邊接軌法》（MATCH Act）全面限制對中國出口核心半導體設備，並要求盟國荷蘭、日本跟進。中國科技媒體「芯智訊」分析，MATCH精準鎖定「光刻＋蝕刻」兩大核心設備，短期將使中國先進設備獲取受阻、存量設備維護面臨挑戰，但同時也可能促進中國國產設備研發與半導體產業自主化。

彭博報導，美國共和黨眾議員鮑加納（Michael Baumgartner）於4月2日聯合兩黨議員向眾議院提出MATCH，擬強化對盟國荷蘭艾司摩爾（ASML）及日本東京威力科創（TEL）出口管控，以限制中國半導體製造業發展。據悉，參議院議員瑞克茲（Pete Ricketts）與金安迪（Andy Kim）亦將提出參議院版本，料本月晚些推出。

MATCH主要針對「受關注國家」，其中包括中國，全面禁止出口兩類核心設備：一是浸沒式深紫外（DUV）光刻設備，全球僅ASML及日本尼康（Nikon）生產，可支援最高7奈米晶片。二是低溫蝕刻設備，主要應用於3D NAND及先進封裝等高深寬比製程，TEL擁有完整產品線。

此外，MATCH計畫將五家中國企業及其子公司列入「受管制設施」，分別為中芯國際（SMIC）、長江存儲、長鑫存儲、華虹集團及華為，實施全面出口限制。芯智訊指，此舉是現行「實體清單」的升級版本，將禁止設備出口、維修服務及技術支持。

MATCH還要求日本、荷蘭等盟國在150天內將對中國出口管制措施與法案政策對齊。報導稱，若設備含美國軟體、技術或零件，即屬美國出口管制範圍，將影響已對華銷售設備的後續維修與技術服務，包括ASML及TEL產品。

另，芯智訊分析，從戰略意圖看，美國此次的MATCH擬精準鎖定「光刻＋蝕刻」兩大設備品類，針對成熟至先進製程及存儲晶片產能。該法案若通過，短期將使中國獲取先進設備受阻，存量設備維護面臨挑戰，成熟產線擴產亦受影響，「殺傷力遠超單純的新設備禁售」。但法案能否正式生效，仍取決於美國內部黨派共識、總統是否簽署及荷蘭、日本配合程度。此外，執行上「外國直接產品規則」或引發全球供應鏈震盪。

報導還稱，美國此舉象徵對中國半導體管制從單邊施壓邁入強制多邊對齊新階段，核心意圖為延緩中國先進製程爬坡及遏制存儲晶片產能擴張。對中國半導體業而言，若法案通過，將面臨短期嚴峻挑戰，但正也將如過去幾年的經驗所示，「封鎖」往往催生「突圍」，「（中國）國產蝕刻設備、薄膜沉積設備已在部分領域實現突破，光刻設備研發也在加速推進。美國「鐵幕」正成為中國半導體產業真正走向獨立自主的催化劑。」