美光宣布在新加坡投資NAND新產能 未來十年擬砸240億美元

美國記憶體大廠美光科技（Micron Technology）今（27）日宣布，未來十年，將在新加坡既有的NAND Flash記憶晶片廠區，合計投資約240億美元開拓新的產能。預定新增的產能可在2028年下半年開始產出。

美光宣布，在新加坡既有的NAND園區，一座新的先進晶圓製造設施已在今天動土興建。這項十年耗資240億美元的計畫最終將提供70萬平方英尺的無塵室空間，預期2028年下半年開始投產晶圓。美光說，這項新投資將創造約1,600個工作機會。

美光在新加坡進行記憶體產能新投資，旨在因應全球目前記憶體嚴重短缺的情況。此時消費電子產品、人工智慧（AI）服務供應商等各產業，都在努力試圖解決各類記憶體供應超級吃緊的問題。

美光在新加坡本就擁有規模龐大的生產設施，公司98%的NAND Flash記憶體是在新加坡廠製造。另外美光也正在星國建造耗資70億美元的先進封裝廠，用於生產高頻寬記憶體（HBM），這座廠預定2027年投產。

美光的主要對手，南韓的三星電子、SK海力士，也都已經宣布成立的生產線，且將投產時程提前。例如，SK海力士上月就對路透說，公司加速提前三個月開新廠，另有一座新廠下個月就可開始營運。

儘管全球這三大記憶體生產廠都大舉提升產能，分析師表示，記憶體供應短缺現象恐將維持到2027年年末。

為了緩解供應吃緊局面，美國近期已在美國紐約州動土興建廠房，預計投入1,000億美元建置4座晶圓廠。美光17日宣布以現金18億美元，買下力積電苗栗銅鑼的晶圓廠，為的是提高DRAM產能。