英特爾先進製程再躍進 18A-P進入風險試產階段

英特爾宣布，旗下Intel 18A家族首款效能強化版本Intel 18A-P進入風險試產（Risk Production）階段，效能、功耗與散熱表現都大躍進。

外界認為，這意味英特爾已朝爭取蘋果等大咖的晶片代工訂單再邁進一大步，持續增強與台積電、三星同場競逐先進製程晶圓代工大餅的底氣。

綜合外電報導，英特爾18A製程被視為是該公司扭轉競爭頹勢的關鍵，已經導入到其自有產品，但迄今尚未拿下大型外部客戶。分析師認為，英特爾願意讓18A-P製程進入風險試產階段，暗示著已準備迎接外部客戶訂單。

英特爾在16日於夏威夷舉行的2026年VLSI研討會上，公布英特爾晶圓代工（Intel Foundry）最新製程藍圖與長期投資的進展。

英特爾執行副總裁暨英特爾晶圓代工總經理Naga Chandrasekaran表示，在研討會所分享的最新進展，再次展現英特爾長期投入先進製程創新的承諾。

英特爾指出，相較Intel 18A製程，Intel 18A-P在相同功耗下，可提供最高達9%的效能提升；或在相同效能下，可降低最高18%功耗，並具備更優異的散熱表現與更大的設計彈性。

同時，Intel 18A-P具備最新Power Boost技術，採用全新的雙接點（dual contact）及低電阻電晶體設計，在相同電容下提升驅動電流，能進一步提高運作頻率，透過材料與設計創新，可提升20%至40%的散熱效能。

另外，透過幾何結構與材料最佳化，可將晶片層間垂直互連通孔（Via）電阻降低10%至30%，提升訊號傳輸效率。

英特爾並提到，Intel 18A-P與Intel 18A的設計規格完全相容，可直接沿用既有IP與設計流程，加速產品開發。

另一方面，英特爾去年於Intel 18A製程導入環繞式閘極（GAA）電晶體與背面供電技術，這次於VLSI研討會上，也進一步展現這兩項核心技術如何為未來邏輯晶片提供更高效能、更佳能源效率及持續微縮能力奠定基礎。

英特爾晶圓代工副總裁暨院士Eric Karl在會中展示該公司如何量化背面供電與環繞式閘極電晶體帶來的技術優勢。他指出，相較於傳統正面供電互連架構，此技術可減少11%的布線面積，並將動態電壓驟降減少達十倍，進而實現最高6%的頻率提升，或降低超過15%的動態功耗。