台積3奈米核心人物 辭日本終身職返中國 分析：北京贏了

在全球半導體競爭持續升溫之際，曾參與台積電3奈米先進製程相關研發工作的中國科學家達博，近日辭去日本國立材料研究所（NIMS）終身職位，率領核心研發團隊返回中國，受聘擔任中國科學技術大學講席教授。消息曝光後，引發半導體產業與學界高度關注，有分析指「北京在半導體戰中取得一場重大的情報與人才勝利」。

綜合大公報等多家媒體報導，現年40歲的達博出生於甘肅隴南，曾以高考狀元身分考入中國科學技術大學，完成本碩博連讀培養後，於2013年前往日本從事博士後研究。赴日僅一年，便獲得日本國立材料研究所終身職位，成為該機構最年輕的終身學者之一。

達博長年投入半導體先進製程相關研究，是少數深度參與國際一線半導體產業項目的中國籍學者。報導指出，他曾主導美國半導體設備大廠泛林集團（Lam Research）與日本國立材料研究所的聯合研發計畫，研究領域涵蓋電子束檢測設備、刻蝕製程關鍵材料及核心零組件等技術，相關成果並應用於台積電日本熊本廠3奈米量產線配套技術開發。

其中，達博團隊聚焦的電子束檢測與刻蝕材料，被視為先進晶片製造不可或缺的重要環節。業界認為，這些技術對7奈米以下先進製程的穩定量產具有重要支撐作用，也是目前全球半導體產業競逐的核心領域之一。

除了參與產業研發，達博在學術領域亦有所突破。報導提到，他帶領團隊研製出世界首塊圓柱對稱旋轉晶體，並提出「電子衍射光學」新技術方向，希望藉由電子束技術突破傳統光學系統限制，為新一代晶片檢測設備提供新的發展路徑。

此次返國決定也受到外界矚目。據報導，達博在提出離職後，曾獲日本國立材料研究所多次挽留，包括提供續聘終身職位、增加研究經費及擴建專屬實驗室等條件；泛林集團及多家海外企業亦提出優厚待遇，希望延攬或留任這位半導體專家，但最終均未能改變其回國決定。

達博受訪時曾表示，希望未來能推動中國半導體設備、材料及核心零組件技術發展，提升至世界先進水準。據了解，部分團隊成員已率先抵達安徽合肥，著手進行相關產業化平台建設工作。

大公報分析指出，目前中國半導體產業在部分設備領域已取得進展，但關鍵材料、核心零組件與高階檢測技術仍存在挑戰。達博團隊所專長的電子束檢測、新型晶體材料及高端材料製備技術，正好對應相關技術需求，因此被視為有助於推動產業升級的重要人才與研發力量。