美光展望樂觀 上調DRAM與NAND成長預估 記憶體缺到明年後

美國最大記憶體晶片製造商美光（Micron）上季財報與本季財測都優於市場預期，並上調今年的DRAM與NAND快閃記憶體需求長預估，更暗示明年的人工智慧（AI）記憶體供應已全賣光，預估記憶體短缺將延續到2026年之後，展望全面樂觀，激勵股價在美股盤後暴漲逾10%。

美光公布，截至11月27日的年度第1季（上季）營收年比激增57%至136億美元，淨利年比暴增180%至52.4億美元，經調整後每股盈餘（EPS）4.78美元，都高於市場預期。

其中，上季雲端記憶體事業銷售年增一倍至52.8億美元，核心的資料中心銷售則年增4%到23.8億美元。

展望本季，美光預估營收將約為187億美元，經調整後EPS為8.42美元，經調整後毛利率67%，也都遠高於華爾街預測。

美光執行長梅羅塔（Sanjay Mehrotra）表示，資料中心運算能力提高，正帶動高效與高容量記憶體及儲存的需求激增，伺服器單位需求已大幅增強。美光預估，今年全年伺服器單位成長率將處於10%-20%區間的上緣，高於之前預估的10%，且明年伺服器需求將維持強勁。

梅羅塔說，記憶體晶片需求高到供應跟不上，「我們相信在可預見的未來，整體產業供應仍將遠低於需求」，「持續強勁的產業需求，加上供應受限，都促成市場情勢緊俏」，「我們預期這些情勢將持續到2026年之後」，預料美光今年度（今年9月初-明年8月底）的業績將更強。

美光表示，明年的高頻寬記憶體晶片所有供應量都已達成價格與出貨量協議，預估高頻寬記憶體（HBM）2028年的市場規模將擴大至1,000億美元，比先前的展望提前兩年。

美光也上修DRAM位元需求成長率預估至20%-30%區間的下緣，高於先前預測的10%-20%區間下緣，NAND快閃記憶體位元需求成長率也調高到10%-20%區間的上緣，也高於前估的10-15%區間，並預期明年DRAM和NAND快閃記憶體的位元出貨量成長仍將受限於產業供應，

梅羅塔透露，無法滿足所有訂單讓他感到失望，「我們只能滿足我們好幾家關鍵客戶的50%-66%需求」，「我們依然極度聚焦增產並進行必要投資」，包括提高今年資本支出至約200億美元，高於先前估算的180億美元，並將提高明年的DRAM和NAND快閃記憶體位元出貨量約20%。