長鑫存儲進擊DDR6 加速相關技術布局 搶占先機

全球記憶體大廠正加速布局下一代產品。外電報導，中國DRAM龍頭長鑫存儲正展開DDR6相關技術布局，企圖趕在三星電子與SK海力士進一步鞏固市場壟斷地位之前，搶占先機。

業界預估，DDR6最快於2028年至2029年間邁入商業化階段。科技媒體Wccftech報導，為確保從DDR5到DDR6的過渡順暢且高效，長鑫存儲已引進新的供應商，並考慮捨棄現有用於DDR4與DDR5的「Reel-to-Reel」（捲帶式）封裝模式，導入能支援高密度金屬化重布線層（RDL）的多層設計，且封裝面積利用率更高的「面板級」製程。

DDR6將採多層設計，對封裝基板製造提出更高要求。過去DDR4與DDR5主要依賴成本較低的「Reel-to-Reel」製程，但隨電路層數增加，該製程或面臨生產效率下降及良率降低等問題，因此面板級製程被視為因應下一代記憶體需求的方案。

韓媒ETNews報導，南韓封裝基板及導線架大廠海成DS（Haesung DS）已成為長鑫存儲供應鏈的新成員，並於2026年第1季通過了長鑫存儲針對DDR5封裝基板的品質驗證。海成DS後續將導入面板級製程，協助長鑫存儲因應DDR6多層設計需求。

三星電子與SK海力士也已投入DDR6研發，長鑫存儲正處於與時間賽跑的狀態。

據報導，蘋果公司目前正在測試長鑫存儲的記憶體晶片，這一進展被認為足以激勵長鑫存儲加快DDR6的研發進程。雖然目前尚未有明確的量產時間表，但長鑫存儲在高性能記憶體領域的加速布局，已引發市場對DRAM行業格局未來變化的廣泛關注。