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手機一周都不充電?三星和IBM發表新晶片技術的企圖心

三星和IBM發表新的半導體設計架構,藉此突破先進製程瓶頸。路透
三星和IBM發表新的半導體設計架構,藉此突破先進製程瓶頸。路透

三星IBM日前共同發表他們最新的半導體設計架構,讓晶片上的電晶體以垂直的方式堆疊,藉此提高電晶體密度,進而提升晶片效能和降低功耗,甚至可望讓手機電池續航力長達一周。

科技網站The Verge報導,這種名為「垂直傳輸場效應電晶體」(VTFET)的設計架構,可望取代現今用於部分最先進晶片的鰭式場效電晶體(FinFET)架構。VTFET架構將垂直堆疊電晶體,讓電流以上下的方式流通,而非目前用於多數晶片的水平排列方式。

儘管距離VTFET架構真正用於消費性產品的晶片,還有一段時間,三星和IBM如今卻做出一些重大宣稱,例如VTFET架構的晶片,可望比FinFET架構「增加兩倍的效能、降低85%的功耗」。

這兩家公司指出,透過在晶片堆疊更多電晶體,VTFET技術可望有助維持「摩爾定律」的目標,也就是隨時間推移,還能穩定增加晶片電晶體的數量。

三星和IBM另指出,這項新技術可望用於具企圖心的使用情境,因而提出一些構想,例如「手機電池續航力在不充電的情況下撐一周,而非幾天」、電力密集度較低的加密幣挖礦與資料加密,甚至用在效能更強的物聯網(IoT)裝置、太空船。

晶片 三星 IBM

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