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傳美擴大半導體設備出口中國禁令 專家:一箭三鵰

中芯國際業績創新高。中新社
中芯國際業績創新高。中新社

中國晶圓代工廠中芯成功量產7奈米晶片,傳出美國擴大對中國半導體設備出口管制因應。產業專家認為,除了邏輯晶片,也會影響中國的DRAM和3D NAND Flash,堪稱「一箭三鵰」,這將使中國半導體中長期發展面臨重重阻礙。

美國先前限縮中國取得半導體先進製程設備,但即使缺少荷蘭艾司摩爾(ASML)的極紫外光(EUV)設備,中芯仍傳出在先進製程技術發展上獲重大突破,已量產出貨7奈米晶片1年多時間,震撼各界。

光刻機是半導體生產的重要設備,EUV光刻機是推進先進製程的關鍵;深紫外光(DUV)則用於成熟製程。

台經院產經資料庫研究員暨總監劉佩真研判,中芯極有可能利用深紫外光(DUV)設備,加上多層光罩,達到7奈米生產。

劉佩真說,中芯目前7奈米量產產能規模可能還小,良率比較不穩定,且成本非常高昂,7奈米性價比相對不高,並可能受到來自美方管制措施,影響客戶下單意願,實際效應有限。

媒體報導,美國擴大對中國半導體設備的管制,兩大半導體設備供應商科林研發(Lam Research)、科磊(KLA)透露,最近收到華府通知,未取得許可證的美企,禁止出售14奈米以下半導體設備給中芯等中企,就連台積電在中國的晶圓代工廠也可能被列入禁售。台積電對此並沒有評論。

工研院產科國際所研究總監楊瑞臨表示,美國先前已禁止10奈米以下的先進半導體設備出口中國,這次進一步擴大管制範疇至14奈米以下製程,且包括台積電等外商在中國設立的半導體廠也都被納入管制。

楊瑞臨指出,微影、蝕刻及量測檢測是半導體最重要的3道製程,其中,微影的EUV設備市場由荷蘭艾司摩爾(ASML)獨占,科林研發為蝕刻設備龍頭,市占率逾5成,科磊為檢測設備龍頭,市占率也超過5成。

楊瑞臨說,觀察美國對中國採取的新管制措施,美國應經過深入研究,對中國半導體的管制相當到位,除了邏輯晶片外,對於中國的動態隨機存取記憶體(DRAM)和3D儲存型快閃記憶體(NAND Flash)也都會有影響,是「一箭三鵰」的做法,中國半導體產業中長期發展恐面臨重重阻礙。

他表示,韓國記憶體廠三星(Samsung)和SK海力士(Hynix)都在中國設廠,可能因而受到波及,未來中國廠擴產可能遭受影響。

至於台積電方面,楊瑞臨說,台積電南京廠未來擴產是否會受到影響有待觀察,不過,台積電生產重鎮在台灣,台灣廠在生產效率與成本等方面最具競爭力,預期台積電所受影響應有限。

國泰台灣5G+ ETF基金經理人蘇鼎宇也認為,對台積電影響有限,但會增加中芯發展的難度,半導體設備製造商也可能受到影響。至於美國正視中芯可能是複製台積電技術這件事,對台積電發展可以正向看待,短期在禁售趨嚴下成熟製程業務可能增加因應調整的成本,長線對於台積電高階製程競爭力則更有保障。

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