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韓媒:長江存儲NAND快閃記憶體技術 只差南韓2年

南韓媒體提出警告,中國長江存儲NAND快閃記憶體與韓企的差距已縮短至兩年。圖為長江存儲128層3D NAND。(取自長江存儲官網)
南韓媒體提出警告,中國長江存儲NAND快閃記憶體與韓企的差距已縮短至兩年。圖為長江存儲128層3D NAND。(取自長江存儲官網)

中國對記憶體產業的支持力度加大,過去幾年取得了長足進步,南韓「韓國商業」(Business Korea)報導,在NAND 快閃記憶體領域,中國企業的長江存儲,與韓企的差距已縮短至兩年,雙方差距正在快速地消失中。

報導指出,中國在DRAM 技術方面與三星、SK 海力士等領先企業仍存在五年以上的差距。報導分析,其中主要原因在於NAND快閃記憶體技術的壁壘相對低一些,使得中國追趕速度不斷加快,因此差距縮小得更為明顯。

其中,中國最大的記憶體半導體企業長江存儲,在2022年快閃記憶體峰會(FMS)上,發布了基於晶棧3.0(Xtacking 3.0)架構的第4代3D TLC快閃記憶體晶片,名為X3-9070。

長江存儲也領先於三星和SK海力士,實現了更高層數的NAND快閃記憶體晶片的量產,回擊了外界質疑的聲音。

去年一年裡,中國存儲晶片業者來自中國政府與官方主導投資基金投入近500億元人民幣(約70.4億美元),持續且大量的資金投入支援確實能取得效果,一方面是技術的追趕,另一方面是更快的市場滲透。

隨著半導體電路小型化逼近極限,中國可能會抓住另一個縮小技術差距的機會,就是先進封裝技術。這種高性能、多晶片的封裝被視為突破半導體小型化限制的關鍵。

目前中國是全球第二大封裝技術市場,有著較為完善的生態系統,長電科技、通富微電和華天科技都進入了全球10大半導體封裝企業的前10名,而韓國沒有一間公司出現在榜單上。

前不久長江存儲在美國加州法院,控告美光科技及全資子公司美光消費產品公司侵犯其專利。長江存儲表示,美光使用長江存儲的專利技術,以抵禦來自長江存儲的競爭,並獲得和保護市佔。

報導指出,這等於是直接展示了中國廠商在NAND快閃記憶體上突飛猛進的進步成果。

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