侵犯8項3D NAND專利 長江存儲將美光告上加州法院

長江存儲與美光晶片戰升級。中國3D NAND快閃記憶體製造商「長江存儲」，已於9日在美國加州北區地方法院，對美國記憶晶片龍頭美光科技提告，指控美光侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關的美國專利。

芯智訊報導，本次涉案的長江存儲的美國專利，包括US10,950,623（3D NAND記憶體件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存儲裝置及控制方法）、US10,658,378（三維記憶體件的直通陣列接觸 (TAC)）、US10,937,806 （三D記憶體件的直通陣列接觸 (TAC)）。

US10,861,872（三D記憶體件及其形成方法）、US11,468,957（NAND記憶體操作的體系結構和方法）、US11,600,342（三D維快閃記憶體的讀取方法）、US10,868,031（多層堆疊三D記憶體件及其製造方法）。

長江存儲在提告書中稱，美光的128層、176層等許多系列3D NAND侵犯了長江存儲8項專利。美光在未經授權的情況下利用長江存儲的專利技術來與長江存儲進行競爭，保護市場佔有率，侵犯了長江存儲的利益，遏制了創新的動力。

近年來，隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，周邊CMOS電路所佔據的晶片面積或將達到50%以上。為了解決這一問題，長江存儲在2018年推出了自研的創新的Xtacking技術。

長江存儲科成立於2016年7月，總部位於湖北武漢， 是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM積體電路企業，同時也提供完整的記憶體解決方案。

在中美科技戰陰影籠罩之下，美光今年低調參加在上海舉辦的進博會。中國商務部部長王文濤1日會見美光總裁梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）一行時表示，歡迎美光繼續扎根並深耕中國市場，「在遵守中國法律法規的前提下」實現更好發展。梅羅特拉則表達了持續擴大在中投資的意願。

中國網信辦於今年5月21日公布，美光在中國銷售的產品，存有嚴重的網路安全問題，未通過審查，因此中國營運商應停止採購美光的產品，代表美光產品在中國將面臨禁售危機。

英國金融時報報導，美國於2022年10月對先進晶片生產設備實施出口限制措施，並將長江存儲等36家中企列入貿易黑名單。

中國媒體調查發現，美光多年來一直扮演「商業抓耙子」角色，早年美日半導體競爭之際，美光曾控拆日本多家企業傾銷DRAM產品，加上近4年美光提交逾170個遊說內容都與中國有關，基於前述兩理由，合理質疑美光這次圍殺中記憶體晶片產業，美光可能是幕後兇手。