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「晶片法案」擬限制廠商在中投資 英特爾恐反受衝擊

晶片法案擬限制獲補助廠商,十年內不得擴大在中國的投資。圖為示意圖。(路透)
晶片法案擬限制獲補助廠商,十年內不得擴大在中國的投資。圖為示意圖。(路透)

規模520億美元的晶片補助法案19日開始在參院討論,法案擬設立防火牆,限制取得補助的半導體業者,十年內不得在中國擴充投資;半導體業者昨表示,如果是限制成熟製程或採用深紫外光(DUV)微影設備的製程禁赴中國,英特爾將首當其衝,而訂單會先湧入台灣,但中廠一定會加快技術自主化,將擴大國際半導體資源搶奪大戰。

外電引述草案內容指出,若企業獲得補助在美建廠,未來十年將不得擴大在中國的28奈米以下晶片製造業務,但能繼續投資於「傳統」晶片製造,關於「傳統」一詞的定義則未確定。對中國的投資限制仍在談判中,參院將對此展開辯論,政治新聞網站Politico稍早報導,英特爾和美國半導體產業協會(SIA)一直在游說反對研議限制。

台灣工研院產經國際所研究總監楊瑞臨指出,晶片補助法案制定「防火牆」牽連甚大,最後會採取何種限制,須密切觀察。知情人士說,不管是已在中國設廠、還是未來可能設廠的公司,都希望護欄不要太高,考量到避嫌和晶片技術進步迅速,最後的標準可能不會那麼嚴格。

楊瑞臨表示,目前包括台積電、英特爾、三星、恩智浦、德儀等都有在美國興建新廠的計畫,前三者表明會投資先進製程,如果法案最終僅限不能前往中國投資先進製程,由於台積電、英特爾和三星本來就不打算在中國設立先進製程晶圓廠,對這三家公司都不會有影響。

但如果法案也將成熟製程列入禁止赴中國投資項目,甚至和最近美國政府計畫將半導體製程極為關鍵的深紫外光(DUV)也一併考慮列入禁止赴中國投資名單,對各家打算在中國擴充成熟製程的半導體廠都會受波及,其中英特爾受影響最大。

值得注意的是,台積電主要生產重心在台灣,三星在中國主要生產項目則是儲存型快閃記憶體(NAND Flash),也可考慮拉回到南韓平澤廠擴廠,但對英特爾而言,中國是其成熟製程且接近市場很重要的生產據點,一旦列入禁止投資規範,英特爾若要靠美國廠或其他國家生產據點,將失去成本優勢,未來在晶圓代工布局恐不利與台積電比拚,甚至難與聯電競爭。

楊瑞臨認為,這也是近期英特爾積極遊說反對的主要關鍵,因為如果限制範圍擴大,英特爾將首當其衝。

美國晶片補助法案最後採取何種限制,須密切觀察,但不管結果如何,業者分析,美國阻擋中國半導體發展腳步,就更能凸顯台灣半導體產業的國際重要性,原因是台灣的半導體產業無論先進或成熟製程,都居全球領先地位;楊瑞臨表示,中國大陸一旦遭到美國掣肘,訂單就會湧向台灣,但中國一定會更加大投資手筆,甚至將擴大搶奪國際半導體人才行動。

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