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涉竊奇異電氣商業機密 中國商人被控罪

紐約北區聯邦法院和司法部日前宣布,一名住在香港的中國公民涉嫌盜取奇異電氣(GE)公司價值百萬元的金氧半場效電晶體(MOSFET)技術,被起訴控以共謀盜取商業機密罪,目前他還未被捕,若罪成最高面臨十年監禁和最高25萬元罰款。

根據法庭文件,64歲的伍志龍(Chi Lung Winsman Ng)報住香港,2017年3月至2018年1月間,與另一名在GE工作超過七年的工程師,共同盜取GE的碳化硅MOSFET技術機密及其他公司專有技術信息,用來開發自己的商業項目,以吸引更多投資者對其開發項目的關注,二人經常在紐約北區聯邦法院轄區內見面。

碳化硅MOSFET與類似功率級別的MOSFET相比,更適用於高溫工作,且能夠降低電阻開關消耗。

伍志龍與同夥告訴潛在投資者保證在三年內獲利,且二人對該項目的有形和無形資產估計約1億元;他們計畫尋求約3000萬元的資金,以換取這一初創公司的所有權股份,二人還於2017年8月在中國會面,並給有意投資他們的中國投資公司做介紹。

不過檢方表示,目前還沒有證據表明碳化硅MOSFET技術已經被非法轉讓給任何中國公司或伍志龍與同夥要創辦的公司。

負責國家安全的聯邦助理檢察官迪墨斯(John C. Demers)表示,伍志龍和同夥盜取他們沒有時間、才能和金錢去創造的東西,且為了外國公司的利益而竊取美國智慧財產權,剝奪美國人的工作機會,司法部會嚴厲阻止此類非法且對經濟造成巨大傷害的行為。

伍志龍日前還未被捕,但已被起訴並控以盜取商業機密罪,若罪成最高面臨十年監禁和最高25萬元罰款。

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