長鑫科技拚研發 擬動用349億人民幣超募資金
長鑫科技上市後擬動用超募資金，加碼研發與記憶體晶圓後道測試，合計投資349億元，以強化技術能力、產能效率與整體競爭力。AI摘要
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中國DRAM企業長鑫科技上市近兩個月，擬動用IPO超募資金，加碼技術研發和記憶體晶圓測試，兩項目總投資達349億元（人民幣，下同）。
分析師認為，這兩大投資專案，將從技術壁壘、產能效率、產業鏈格局，全面強化長鑫科技的核心競爭力。其中對長鑫科技自身的直接影響是技術代差快速收窄、徹底打通IDM全鏈條堵點。
公告稱，擬使用超募資金130億元投資新建技術研發項目，擬通過增資和借款方式向全資子公司長鑫存儲產品（合肥）有限公司提供超募資金50億元，由投資新建記憶體晶圓後道測試基地二期專案，計畫建設一座測試工廠，為DRAM存儲晶片提供測試以及模組組裝。
公告顯示，技術研發專案總投資241億元，擬投入超募資金130億元，建設期30個月。項目依託公司現有產業化基礎與技術積累實施，作為研發項目不單獨測算投資回報，效益通過技術賦能主營產品、帶動業務增長體現。
長鑫科技表示，面對複雜的產業格局和技術路徑，公司必須依託持續的研發投入，驅動技術的代際演進，確保新產品在存儲密度、功耗控制及讀寫性能上不斷實現質的飛躍。這不僅是滿足市場需求的關鍵，更是構築企業深厚護城河、提升抗風險能力的必由之路。
公司擬以超募資金支持兩大方向，一是新建技術研發項目，二是透過子公司推動記憶體晶圓後道測試基地二期，涵蓋DRAM測試與模組組裝。 公告顯示，兩項專案總投資達349億元，其中技術研發項目總投資241億元，擬投入130億元超募資金；晶圓測試基地二期則規劃投資50億元。 分析師認為，研發與測試同步加碼，可從技術壁壘、產能效率到產業鏈格局全面補強，有助縮短與先進對手的技術差距，並打通IDM全鏈條堵點。精華 FAQ
