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中國自製AI晶片 長鑫存儲高頻寬記憶體大躍進

長鑫存儲HBM記憶體取得近一步進展。(取材自微博)
長鑫存儲HBM記憶體取得近一步進展。(取材自微博)

路透引述消息人士和相關文件指出,中國晶片製造商長鑫存儲等開發用於人工智慧(AI)伺服器GPU搭載的高頻寬記憶體(HBM)晶片已獲進展,正處於生產的早期階段。同時,華為正設定目標,要和其他國內業者合作在2026年前生產HBM2晶片。

消息人士透露,中國DRAM晶片製造商龍頭長鑫存儲與晶片封裝測試業者通富微電,已合作開發一款HBM晶片樣品,且正在向客戶展示。長鑫存儲和其他中國晶片企業也一直在與日韓半導體設備公司定期開會,以購買HBM的開發工具。

長鑫存儲、通富微電和華為申請的專利表明,在中國開發HBM的計畫至少能追溯到三年前。顧問機構Anaqua的AcclaimIP數據庫顯示,長鑫存儲已在美國、中國及台灣申請近130項專利,分別涉及與HBM晶片製造和功能相關的不同技術問題。

4月公布的一項中國專利顯示,長鑫存儲正在研究混合鍵合(hybrid bonding)等先進封裝技術,以製造更強大的HBM產品。另一份文件顯示,長鑫存儲也在投資開發製造HBM3的所需技術。

武漢新芯也正在建設一家工廠,每月將能生產3000片12吋HBM晶圓。企業數據庫企查查(qicacha)的文件顯示,這座工廠原訂今年2月開工興建。

HBM市場目前由南韓SK海力士和三星電子、以及美國的美光主導,都已生產最新標準的HBM3晶片,並正在努力在今年向客戶推出第五代HBM或HBM3E。雖然美國並未限制出口HBM晶片,但HBM3晶片是使用美國技術製造,根據管制規定,華為等許多中企都被禁止使用美國技術。

White Oak資本管理公司投資總監Nori Chou估算,中國晶片製造商在HBM領域仍落後全球其他競爭對手十年。不過,在美國加強管制對中國出口先進晶片和其他一些零組件之際,中國開發HBM獲致進展,即使只是較舊版本的HBM,也象徵北京追求科技自給自足的最新里程碑。

路透報導,華為正設定目標,要和其他國內業者合作在2026年前生產HBM2晶片。(...
路透報導,華為正設定目標,要和其他國內業者合作在2026年前生產HBM2晶片。(路透資料照片)

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