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專家為中國半導體獻策:應優先20-90nm晶片國產化

中芯國際原副總裁李偉認為,與其突破2nm技術,中國更應該考慮優先發展20nm至90nm晶片的國產化。(歐新社資料照片)
中芯國際原副總裁李偉認為,與其突破2nm技術,中國更應該考慮優先發展20nm至90nm晶片的國產化。(歐新社資料照片)

面對美國對中國晶片卡脖子,中國半導體業如何擬定發展策略成為外界關注問題。澎湃新聞報導,俄羅斯工程院外籍院士、中芯國際原副總裁李偉近期在半導體行業中小企業創新發展論壇表示,與其投入巨額資金突破2nm技術體系,或更應該考慮優先發展20nm至90nm晶片的國產化。

中國工信部和山東省政府9日至11日共同主辦的第12屆亞太經合組織(APEC)中小企業技術交流暨展覽會在山東青島舉行。在半導體行業中小企業創新發展論壇上,多位與會的學者、專家、行業企業家針對中國半導體產業面臨的痛點及未來發展路徑進行交流探討。

李偉指出,除了通訊、AI等少數領域需要用到2nm晶片,其實28nm晶片已經可以滿足國內大部分民用市場和軍工市場需求。

「中國的集成電路技術總體落後國際水平超過5年,製造設備、材料(光刻膠)是中國晶片產業最(大)軟肋,目前相關材料、設備、設計軟體等主要靠進口,大概只有10%的設備可以國產。」李偉說。

李偉分析中國半導體行業面臨幾項挑戰:國外先進技術和設備對華出口受到了一定限制;中國國內企業也在相互競爭,與此同時,國內不僅缺乏自主核心關鍵技術、缺乏高端人才團隊,也缺乏長期發展的動力和規畫。

至於如何掌握晶片產業主動權?李偉提出五項建議:一是瞄準核心領域,解決自主可控問題;二是充分利用中國國內市場優勢,開發專用晶片;三是量力而行,尋找差異化;四是保持聚焦;五是若干重點突破,通過第三代、第四代半導體以點帶面。

該論壇上,許多業者也反應中國技術仍然不足。一家功率半導體器件廠商的負責人表示,當前功率半導體器件在新能源領域方興未艾,然而在第三代半導體材料的應用過程中,國內技術儲備仍顯不足,「國外已經發展到第七代、第八代了,我們還停留在第四代左右。」

而美國制裁確實給中國廠商帶來痛點。一家從事刻蝕機與離子注入機研制的企業負責人表示,由於國際貿易保護主義抬頭,該企業在國際技術引進和國際併購時受到了一定影響;一家從事集成電路元器件製作的企業負責人指出,中國一些零部件、上游原材料、電子元器件的國產配套能力還是偏弱,甚至一些特殊用途的不鏽鋼在中國國內也沒有特別成熟的解決方案。

晶片 俄羅斯 AI

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