中國攻半導體 三安光電結盟歐洲意法半導體

中國加快第三代半導體產業化放量，以碳化矽（SiC）新材料為核心主業的三安光電，7日宣布和歐洲半導體巨頭意法半導體（ST）簽署協議，將合資在重慶設立200mm碳化矽晶圓廠。新廠預計2025年第4季投產，2028年全面擴建。

三安光電和意法半導體攜手合作，最大的推手當屬近年來中國快速發展新能源汽車。

以碳化矽為代表的第三代半導體，被廣泛應用於新能源汽車中的主驅逆變器、DC轉換器、充電系統中的車載充電機和充電樁等。同時，碳化矽功率器件也被應用在5G、高速列車、智慧電網、新型顯示、通信傳感等。

三安光電CEO林科闖表示，三安光電和意法半導體合資新建的碳化矽晶圓廠，預計投入中國的汽車電氣化、工業電力和能源等的供應鏈，預計到2030年碳化矽晶圓收入將超過50億美元(約356億人民幣)。

林科闖指出，合資廠的成立將有力推動碳化矽在中國市場的廣泛採用。他強調，三安作為碳化矽晶圓代工服務，將利用自有SiC受質（substrate）技術和製程，單獨建造和運營另一座新的8英寸SiC受質製造廠。

「這是三安光電朝著成為SiC專業晶圓代工廠目標，邁出的重要一步」，林科闖指出，隨著新合資廠的成立和新SiC受質工廠的產能擴張，「三安有信心將在SiC專業晶圓代工市場占據優勢地位」。

意法半導體則發布聲明指出，合資廠將採用意法半導體的碳化矽專利製造技術，專注於為ST生產碳化矽器件，作為ST專用晶圓代工廠，支援中國客戶的需求。

意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示，中國的汽車和工業領域正在朝著電氣化全速前進，意法半導體已經拿下許多客戶專案。對ST來說，與中國本地的重要合作夥伴一起成立一個專門的晶圓廠，將幫助意法半導體以最高效的方式滿足中國客戶不斷增長的需求。

根據協議，合資公司的全部建設費用預計約為32億美元，其中未來5年的資本支出約為24億美元，資金來源包括來自意法半導體和三安光電的資金投入、來自重慶政府的支援以及由合資企業向外貸款。這項合資交易還有待中國監管部門批准。

意法半導體計畫結合三安光電未來的八英寸受質製造廠、雙方新成立的合資製造廠、以及ST在中國深圳現有的後端製造廠，串成垂直整合的碳化矽價值鏈，進一步擴大全球碳化矽製造業務，預計2025-2027年將達成200億美元的營收目標。