長江存儲力抗美國打壓 拚產線去美化 新廠明年下半投產

中國記憶體龍頭廠長江存儲的新工廠預期最快明年下半年就能投產，新廠加強採用中國本土製設備，同時採用來自荷蘭艾司摩爾（ASML）未受美日荷出口管控措施影響的較舊款機台，希望藉此從美國的封殺行動中獲得復甦生機。

英國金融時報報導，美國去年10月對先進晶片生產設備實施出口限制措施，此舉初步凍結了長江存儲蓋在武漢現有晶圓廠旁的先進晶圓廠營建與設備進廠。然而，消息人士透露，長江存儲長期來一直在測試本土製機台，現在有足夠的信心仰賴更多國內供應商來代替。新廠預定2024年下半年投產。

報導說，長江存儲在降低仰賴美國和其他外國晶片設備製造商方面取得進展，這代表中國試圖達到半導體產業自給自足的努力邁進一步，同時挫傷美國希望藉由管控來減緩中國在生產先進晶片方面大幅躍進的相關努力。

三名知情人士說，長江存儲設定要從北方華創、中微半導體在內的本土供應商取得設備的宏大目標。其中一人表示：「長江存儲今年來致力於晶片產線去美化的重要且艱困任務。」

上述三家公司沒有回覆置評請求。

這座新廠將在2024下半年投產，要重拾對三星和美光等同業的競爭力。根據Yole Development的數據，長江存儲2021年在全球記憶體市占率約5%，較2020年的1%大幅提高。

根據長江存儲三位工程師的說法，管理層還向產線工程師保證，將能夠從ASML取得重要的晶片生產工具，使用不受美日荷出口管控措施影響的較舊款機台。

這些工程師表示，產線的剩餘部分將靠重新安裝來自較舊晶圓廠（目前正縮減生產）、由美國供應商供應的設備填補。

北京當局視長江存儲微發展國內半導體產業的重點企業，因此正協助該公司取得資金，用於重新調整產線結構，並且進行新的設備測試。自從美國實施新的出口管制措施後，長江存儲已獲得以政府為首的投資機構投資70億美元。

長江存儲新廠將面臨嚴峻考驗的時間點，將是在試圖生產比128層3D NAND快閃記憶體更先進，即196層與232層的記憶體之時。目前的128層技術比三星、海力士和美光等全球領導業者落後約兩代。