三星砸上億美元攻第三代半導體 從8吋晶圓切入

三星已支出約2,000億韓元（約1.54億美元），準備開始生產碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）半導體，用於電源管理IC，而且計劃採用8吋晶圓來生產這類晶片，跳過多數功率半導體業者著手的入門級6吋晶圓。

韓媒The Elect報導，消息人士說，上述的支出金額顯示三星可能已經生產這類第三代半導體的原型。

碳化矽與氮化鎵比矽更耐用、能源效率更高，因此被用於最新電源管理IC。碳化矽因為其耐用度，獲得汽車產業愛用；氮化鎵則因切換速度快，獲得更多無線通訊應用。

三星今年稍早成立功率半導體任務團隊，做為生產碳化矽與氮化鎵晶片的第一步。除了三星的晶片事業員工外，來自LED團隊和三星先進技術研究院（SAIT）的員工也參與了該任務團隊。LED事業人員也參與的原因是，製造LED的晶圓已使用氮化鎵與其他氮化物材料。

三星計劃用8吋晶圓生產碳化矽與氮化鎵晶片，跳過多數功率半導體業者著手的入門級6吋晶圓。

MicroLED也是用8吋晶圓來製造。三星先進技術研究院已經擁有氮化鎵相關技術。

三星採用8吋來切入功率半導體生產是值得注意的，因為多數碳化矽晶片是利用4吋晶圓和6吋晶圓製造，至於在氮化鎵方面，8吋晶圓日益變得主流。

三星發言人表示，他們與碳化矽晶片相關的業務仍在「研議階段」，尚未正式決定。