英特爾進擊 年底前推3奈米

英特爾在執行長基辛格的領導下，持續強化追趕先進製程技術布局。外電報導，英特爾推出7奈米製程後，4奈米製程已進入量產階段，3奈米製程也將在年底前推出。外界預期，隨著英特爾加入3奈米製程戰場，與台積電及三星之間的技術競爭將更激烈，半導體三雄新一波搶單大戰鳴槍起跑。

日媒IT media報導，英特爾提及其Intel 4製程導入極紫外光（EUV）技術，每瓦效能提升約20％，而下一代Intel 3製程將於今年下半年推出，將應用於後續推出的Xeon處理器，在每瓦效能上將會有18％改善。

英特爾近期才推出第4代Intel Xeon可擴充處理器（代號為Sapphire Rapids），在單一封裝結合最高四個採用Intel 7製程打造的晶片塊，供應資料中心、AI運算等應用。

英特爾先前一度受困於製程技術進展，基辛格上任之後，展現在製程技術方面的強烈企圖心與進展計畫，目標四年內大跨步發展五個製程節點，同時也要積極拓展晶圓代工業務。

根據英特爾釋出的技術進展藍圖，除了已經推出的Intel 7製程外，Intel 4製程產品預計今年開始出貨，Intel 3製程將於2023下半年準備生產。後續Intel 20A製程（相當於2奈米）預計將於2024年上半準備量產，而Intel 18A製程原預計2025年初問世，但相關時程已提早到2024年下半可以量產。

在英特爾之前，三星、台積電已先後宣布3奈米進入量產，以三星於去年6月30日宣布其採用環繞式閘極（GAA）架構的3奈米製程量產，腳步最快。

三星規畫，其3奈米首次應用於高效能、低功耗的運算領域，並將拓展至行動處理器，但三星並未針對客戶端與良率等議題做進一步說明。

台積電3奈米製程於去年12月底量產，採鰭式場效電晶體（FinFET）架構，後續3奈米陣容將持續擴大。台積電3奈米家族並無N3B，主要包含N3、N3E、N3P與N3X製程。

台積電預定以N3E為3奈米家族的延伸，將為智慧手機和高速運算相關應用提供完整的支持平台，N3E技術預計將在2023年下半年量產。

儘管庫存調整仍在持續，台積電透露，其N3和N3E皆有許多客戶參與，量產第一年和第二年的產品設計定案數量，將是5奈米製程的兩倍以上。