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三星導入新技術 記憶體晶片產能將倍增

三星宣布導入極紫外光(EUV)微影製程技術量產記憶體晶片。 (路透) 三星宣布導入極紫外光(EUV)微影製程技術量產記憶體晶片。 (路透)

南韓三星電子在記憶體晶片製造上導入極紫外光(EUV)微影製程技術,使其記憶體晶片產能提高一倍,為20年來首次生產技術的革新。該公司也是第一家使用這項技術量產記憶體晶片的業者。

三星宣布,已在鄰近首爾的華城動態隨機存取記憶體(DRAM)工廠導入EUV技術,目前已出貨100萬片DRAM,未來還會生產數百萬片,年底前將會在另一座平澤市的DRAM廠也導入此技術。

三星在2000年代初期導入了現在廣泛使用於微影製程裝置的「氬氟雷射(ArF laser)」技術,但隨著積體電路變得更小且更精密,這種技術已接近其使用壽命。透過改用EUV技術,三星將能在量產高階半導體上取得領先。

三星的國內對手SK海力士也計畫明年在DRAM生產線上導入EUV技術,該公司的記憶體晶片的產量上僅次於三星。

雖然三星是首家在記憶體晶片上使用這種新製程的公司,但台積電和英特爾早已使用該技術生產中央處理器(CPU)和其他處理器。

荷蘭的晶片製造設備供應商艾斯摩爾(ASML)生產一部EUV設備,就要價超過1億美元。三星打算利用其雄厚財力,增強在技術上的優勢。



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