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三星晶片2021年發表GAA技術 領先台積電

三星預定2021年發表GAA新技術。 美聯社 三星預定2021年發表GAA新技術。 美聯社

南韓三星電子14日宣布,將在2021年推出突破性的晶片3奈米製程「環繞式閘極結構」(Gate-All-Around,GAA)技術,重新設計電晶體底層結構,號稱將可提升速度性能35%,使用空間減少45%,電力消耗減少50%。

科技網站CNET報導,三星在三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum)中表示,GAA技術將是三星與台積電、英特爾競爭中的重要一步,重新設計晶片核心的電晶體,使電晶體更小、更快。近年來,晶片製造業者都苦於克服晶片最小化的工程挑戰。

International Business Strategies執行長Handel Jones指出,三星的材料研究計畫正開始獲得回報;他說:「三星在GAA技術方面已經超越台積電,可能領先達12個月。英特爾可能落後三星兩到三年。」

報導指出,三星的GAA可望使摩爾定律延續,讓智慧手機、智慧手錶、智慧汽車和智慧住家更聰明。三星晶圓事業行銷副總裁Ryan Lee說:「GAA技術將代表我們的晶片事業進入新年代。」

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